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机译:HfO_2无序网络在高κn-MOSFET浅电子俘获中的作用
Ningbo Univ, Div Microelect, Sch Sci, Ningbo 315211, Zhejiang, Peoples R China;
Ningbo Univ, Div Microelect, Sch Sci, Ningbo 315211, Zhejiang, Peoples R China;
Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore;
Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore;
Guilin Univ Elect Technol, Sch Comp Sci & Informat Secur, Guangxi 541004, Peoples R China;
South Univ Sci & Technol, Mat Characterizat & Preparat Ctr, Shenzhen 518055, Peoples R China;
机译:高κ和SiO_2界面层厚度对激进规模的金属栅极/ HfO_2 n-MOSFET中低频(1 / f)噪声的影响:高κ声子的作用
机译:高κ/ GeO
机译:高κ/ GeO_2界面上的电子俘获:束缚态的作用
机译:电子自旋共振在Si上超薄高k金属氧化物的点缺陷和陷阱:Si / HFO_2系统和N结合
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:解离吸附水对地层的作用TiO2光催化剂中的浅陷电子
机译:分解吸附的水在TiO2光催化剂中浅陷阱电子形成中的作用
机译:无序系统中辐射产生的被捕获电子和自由基的内耗研究以及聚合物和表面上的自由基 - 相互作用。