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机译:各种Mg浓度的GaN层的宽范围掺杂控制和缺陷表征
机译:不同碳掺杂浓度GaN层缺陷特性和载流子传输机制的研究
机译:宽浓度范围的掺锌LiNbO_3晶体的缺陷结构
机译:使用电导测量表征Mg掺杂的GaN外延层中的缺陷
机译:通过控制荧光掺杂浓度的蓝色有机发光二极管中杂交双发射层的表征
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:不同碳掺杂浓度GaN层缺陷特性和载流子传输机制的研究