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机译:层间电介质对铜互连可靠性的临界拉伸应力到空核的影响
Advanced Micro Devices, 1 AMD Place, M/S: 143, Sunnyvale, California 94086;
机译:Cu / Low-kappa $互连中基于空隙成核和生长的应力诱发空泡的寿命分布分析
机译:钝化铜互连中应力松弛机制的位错形核与空隙形成之间的竞争
机译:铜在静态拉伸应力作用下近表面空位的位错形核
机译:应力和应力松弛对介电材料的依赖性对CU互连件应力消除机理的影响
机译:互连结构中应力松弛,空隙形核和生长的数值模拟
机译:拉伸载荷作用下FCC延性金属中的位错产生和空核化:一般的显微图片
机译:临界温度漂移,用于在32 nm及更高波长的先进Cu互连中产生应力引起的空洞
机译:as-Quenched和aged T1-6a1-4V中的空洞成核,空洞生长和拉伸断裂。