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机译:低能电子辐照在4H-SiC中产生的深能级
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden;
4H SILICON-CARBIDE; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; TRANSIENT SPECTROSCOPY; EPITAXIAL LAYERS; THRESHOLD ENERGY; DEFECT CENTERS; AB-INITIO; VACANCY; DISPLACEMENT; TRAPS;
机译:低能电子辐照n型4H-SiC外延层的深能级研究
机译:照度对成年低能电子辐照高纯度半绝缘4H-SiC的深能级的影响
机译:低能电子辐照在p型4H-SiC中的深能级
机译:低能量电子照射引起的P型4H-SiC的深度水平
机译:利用电子顺磁共振和光电子顺磁共振研究半绝缘4H-SiC中的缺陷能级
机译:低能量电子照射是ATMP制造中(CAR-)NK-92细胞灭活的γ辐射的有效替代方案
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