机译:声子辅助的陷阱电离导致氮化硅中的两带电荷传输
Russian Acad Sci, Inst Automat & Electrometry, Novosibirsk 630090, Russia;
OXIDE-SEMICONDUCTOR STRUCTURES; QUANTUM DOTS; MEMORY DEVICES; ELECTRON; FILMS;
机译:氮化硅中的电荷传输机制:多声子陷阱电离
机译:脉冲和直流模式下55 nm的氧化硅-氮化物-氧化硅-硅电荷陷阱存储器的总电离剂量效应
机译:氮化硅-二氧化硅介电双层中的电荷传输和俘获
机译:植入氮化硅中陷阱的电荷运输和性质
机译:新型基于氮化硅的电荷陷阱栅功率半导体器件。
机译:双链体DNA中的长距离电荷传输:声子辅助的极化子样跳跃机制
机译:UV总剂量非挥发性传感器使用氧化硅 - 氮化物 - 氧化硅电容器,其具有氧 - 氮化物作为电荷捕获层
机译:数字传感器原理研究。第四卷 - 薄氮化硅薄膜中的电荷传输机制,1966年7月1日 - 1967年6月30日