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机译:电化学蚀刻过程中极化照明在多孔硅层中引起的面内折射率各向异性
Hyogo Univ Teachers Educ, Dept Pract Life Studies, Technol Educ Grp, Yashiro, Hyogo 6731494, Japan;
LUMINESCENCE PROPERTIES; NANOSTRUCTURED SILICON; QUANTUM EFFICIENCY; OPTICAL-PROPERTIES; LIGHT-EMISSION; PHOTOLUMINESCENCE; ELECTROLUMINESCENCE; DEVICE; SUPERLATTICES; ANODIZATION;
机译:通过电化学蚀刻制备的多孔硅层,用于硅薄膜太阳能电池
机译:偏振光辅助阳极氧化制备的多孔硅层中的强光致发光各向异性
机译:用电活性噻吩封端的烷基单层衍生的硅的光电化学刻蚀:朝向氧化还原中心诱导的刻蚀活化和各向异性
机译:通过电化学腐蚀硅外延层制备的多孔硅
机译:电化学蚀刻锗和砷化镓形成的多孔层,用于高能效多结太阳能电池的分裂工程层转移(CELT)应用。
机译:照明对不同掺杂水平的p型硅光辅助刻蚀形成多孔硅的影响
机译:电化学蚀刻过程中极化照明在多孔硅层中引起的面内折射率各向异性
机译:HfO2-siO2多层镜和偏光涂层重复照射过程中激光损伤的增长