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机译:退火过饱和,单晶,非晶和纳米晶SiC之后的层形貌和Al注入轮廓
Rossendorf Inc, Forschungszentrum Rossendorf EV, D-01314 Dresden, Germany;
SOLID-PHASE EPITAXY; SILICON-CARBIDE; ION-IMPLANTATION; ALUMINUM IMPLANTATION; BORON; RECRYSTALLIZATION; DIFFUSION; RESISTIVITY; IRRADIATION; NITROGEN;
机译:1950℃注入后退火的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征
机译:退火非晶SiC单层与非晶Si / SiC多层电致发光的比较研究
机译:高温退火(T> 1650 c)对P型植入4H-SIC层的形态学和电性能的影响
机译:6H-SiC中注入诱导非晶层的退火动力学(0001)
机译:水性前体的非晶态金属氧化物薄膜:高κ电介质的新途径,大气湿度退火的影响以及不均匀成分分布的阐明
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C注入后退火后的Al +注入4H-SiC层和Al +注入4H-SiC p-n结的结构和功能表征