机译:高通量硅植入金刚石:SiC形成的最佳注入温度
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Rossendorf, P.O. Box 510119, D-01314 Dresden, Germany;
机译:高通量硅注入金刚石中的n型电导率
机译:在低温下将高效碳离子注入铁中后,形成亚稳态的碳化铁相
机译:离子注入SiC中的低温损伤形成及其与一次能量沉积的关系
机译:高温碳注入法制备立方SiC外延金刚石晶粒。
机译:在碳化硅中进行高通量离子注入,以制造柔性衬底。
机译:室温和高温下拉伸张力循环疲劳载荷下2 C / SiC和SiC / SiC陶瓷基复合材料损伤演化的比较
机译:高强度下植入金刚石层的结构转变 温度退火
机译:单晶金刚石Nv中心共沉积和基体温度条件的原位优化。