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Structural and photoluminescence properties of ZnO thin films prepared by sol-gel process

机译:溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的结构和光致发光性能

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摘要

The present study focuses on the structural and optical properties of ZnO thin films fabricated by sol-gel process and spin coated onto Si (100) and quartz substrates. The ZnO films have a hexagonal wurtzite structure with a grain size of about 50 nm. The x-ray photoelectron spectroscopy measurements reveal the presence of Zn~(2+) and of zinc hydroxyl groups at the film. Optical properties were studied by photoluminescence (PL) and absorption spectroscopy at low and room temperatures. The absorption spectrum is dominated by a sharp excitonic peak at room and low temperatures. At room temperature, PL observations show two transitions: one near the absorption edge in the ultraviolet (UV) region and the second centered at 640 nm, characteristic of the deep electronic levels in the bandgap. The spectrum at 6 K is dominated by donor bound exciton lines and donor-acceptor pair transitions. LO-phonon replica and two-electron satellite transitions are also observed. These optical characteristics are a signature of good structural quality of the films.
机译:本研究的重点是通过溶胶-凝胶法制备并旋涂到Si(100)和石英衬底上的ZnO薄膜的结构和光学性质。 ZnO膜具有六方纤锌矿结构,其晶粒尺寸约为50nm。 X射线光电子能谱测量揭示了薄膜中存在Zn〜(2+)和羟基锌。在低温和室温下,通过光致发光(PL)和吸收光谱研究了光学性质。在室温和低温下,吸收光谱主要由尖锐的激子峰决定。在室温下,PL观测显示出两个跃迁:一个跃迁靠近紫外(UV)区域的吸收边缘,第二个跃迁以640 nm为中心,是带隙中深电子能级的特征。 6 K处的光谱由供体结合的激子线和供体-受体对跃迁控制。还观察到本振声子复制品和两电子卫星跃迁。这些光学特性是薄膜良好结构质量的标志。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |2008年第11期| 428-432| 共5页
  • 作者单位

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

    Laboratoire de Technologies Industrielles, Centre de Recherche Public Henri Tudor, 66 rue du Luxembourg, Esch/Alzette 4002, Luxembourg;

    Laboratoire de Technologies Industrielles, Centre de Recherche Public Henri Tudor, 66 rue du Luxembourg, Esch/Alzette 4002, Luxembourg;

    Laboratoire de Technologies Industrielles, Centre de Recherche Public Henri Tudor, 66 rue du Luxembourg, Esch/Alzette 4002, Luxembourg;

    InESS-CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67037 Strasbourg Cedex 2, France;

    Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg (IPCMS), UMR 7504 CNRS-ULP, 23 rue du Loess, B.P. 43, 67034 Strasbourg Cedex 2, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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