机译:带非抛物线型对ii-v和相关材料的δ掺杂改性的量子化栅极电容的影响
机译:包含带非抛物线的III-V纳米线静电的紧凑模型
机译:III-V异质结构的自洽一维Schroedinger-Poisson求解器,说明了导带非抛物线性
机译:空间量化效应对按比例缩放的Si-MOSFET的阈值电压,反型层和总栅极电容的影响
机译:带有高薄体双栅FET的频带隧道隧道隧道限制,具有高移动性材料:III-V,GE和紧张Si / Ge
机译:通过高K材料进行栅极电流建模以及对栅极电容进行紧凑建模。
机译:ZnO纳米结构和掺杂材料的带隙变窄和展宽
机译:从高迁移率III-V半导体MOS-HEMT器件的栅极电容表征顶部势垒厚度
机译:用III-V氮化物材料集成光学泵浦Cr和Ti掺杂蓝宝石衬底