The University of Texas at Austin.;
机译:具有双重材料底栅极的前高k门堆双材料三栅肖特基屏障硅皮MOSFET建模与分析
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:MOS器件基于物理的量子力学紧凑模型,通过超薄(EOT〜1 nm)SiO {sub} 2和高k栅叠层注入衬底的隧道电流
机译:具有双材料底栅的高K栅叠层双材料三栅极绝缘体上硅MOSFET的3D分析建模和SCE的综合分析
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:用于硅纳米晶浮栅存储器的基于Hf的高k材料
机译:具有高K介质的深亚微米mOsFET中直接隧穿栅极电流和栅极电容的建模。