机译:使用高温AlN缓冲剂在GaN表面上自组装InGaN量子点的生长和光学研究
机译:具有温度梯度AlN缓冲层生长的Si衬底上无裂纹GaN沉积以及过长的InGaN / GaN量子阱的发射特性
机译:下层GaN缓冲层的晶体质量对InGaN / GaN量子点的形成和光学性质的影响
机译:水平生长MOCVD中不同生长条件的InGaN / GaN自组装量子点的生长行为
机译:GaN和IngaN量子点的应变能量分布在ALN缓冲层上:VALVENT-FIRESING方法
机译:砷化镓基自组装量子点和量子点激光器的光学性质。
机译:InGaN / GaN量子阱和量子点结构耦合中的自旋和光偏振研究
机译:GaN缓冲增长温度和Ingan / GaN量子阱的效率:氮空位在GaN表面的关键作用