机译:GaN缓冲增长温度和Ingan / GaN量子阱的效率:氮空位在GaN表面的关键作用
机译:GaN缓冲增长温度和Incan / GaN量子阱的效率:氮空位在GaN表面的关键作用
机译:具有温度梯度AlN缓冲层生长的Si衬底上无裂纹GaN沉积以及过长的InGaN / GaN量子阱的发射特性
机译:通过优化GaN屏障的生长温度来提高InGaN / GaN多量子孔的电致发光效率
机译:MOVPE在GaN上的IngaN量子点的生长,采用生长温度氮气退火
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:InGaN / GaN量子阱结构中的表面等离子体激元耦合动力学和辐射效率的提高
机译:量子阱生长温度对在绿色和蓝色光谱区域发射的InGaN / GaN多量子阱的复合效率的影响