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机译:SiO_2的生长动力学和电学性质对SiC的压力依赖性
机译:勘误表:“ SiO_2的生长动力学和电学特性对SiC的压力依赖性” [J. Appl。Phys。103,023522(2008)]
机译:后氧化退火对高压水蒸气氧化的SiO_2 / SiC金属氧化物半导体电容器的电和界面性能的影响
机译:4H-SiC(0001)表面的超高温快速热氧化及SiO_2 / SiC界面性质的氧化温度依赖性
机译:压力取决于感应耦合等离子体氧化形成的SiO_2栅氧化物的电性能
机译:高温热解热分裂的聚合物衍生SiC陶瓷的电和介电性能研究
机译:电学和光学特性对AlAs / In0.53Ga0.47As / InAs共振隧穿二极管中生长中断的依赖性
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长
机译:分子束外延的电学和光学性质的依赖性(0.52)al(0.48)as生长参数:表面动力学和热力学的相互作用