机译:氢等离子体处理的多晶硅中扩展缺陷处氢缺陷形成的透射电镜研究
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机译:射频等离子体处理的硅晶片中氢致缺陷的退火:异位和原位透射电子显微镜研究
机译:氢等离子体处理的硅中结构缺陷形成的衬底取向,掺杂和等离子体频率依赖性
机译:等离子体加氢和退火后的直晶硅片缺陷演变的拉曼和透射电子显微镜比较
机译:硅锗/硅异质结构中位错/缺陷相互作用的原位透射电子显微镜研究。
机译:氢等离子体处理非晶碳化硅基体减少硅量子点超晶格结构缺陷的研究
机译:退火和氢等离子体处理下多晶硅中扩展缺陷电活动的转变
机译:TEm(透射电子显微镜)和EBIC(电子束感应电流)研究太阳能硅中的缺陷:最终报告