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机译:通过选择性区域分子束外延生长在Si(111)上位置控制且无催化剂的InAs纳米线阵列中的生长动力学
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitaet Muenchen, Garching,85748, Germany;
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机译:分子束外延(MBE)参数对硅(111)基材INAS纳米线催化剂生长的影响
机译:通过选择性区域分子束外延生长的无催化剂InGaAs纳米线阵列中的可调谐合金成分和晶体结构
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置控制的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理
机译:通过分子束外延在Si_3N_4 / Si(111)上InAs纳米线阵列的选择性区域生长
机译:等离子辅助分子束外延法制备无催化剂的Ⅲ族氮化物纳米线:生长,表征和应用
机译:GaAs 111 B上Si掺杂InAs纳米线分子束外延生长过程中的合金形成
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置受控的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理