机译:氮化镓纳米线中的缺陷:第一原理计算
Department of Applied Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, People's Republic of China State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People's Republic of China;
rnState Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People's Republic of China;
Pacific Northwest National Laboratory, P.O. Box 999, Richland, Washington 99352, USA;
rnPacific Northwest National Laboratory, P.O. Box 999, Richland, Washington 99352, USA;
机译:氮化镓纳米线中的缺陷:第一原理计算
机译:二维氮化镓N-和P型掺杂的探讨:第一种原理的带电缺陷计算
机译:氮化镓和氮化铝纳米线电子性质的第一性原理研究
机译:氮化镓和氮化铝纳米线电子性质的第一原理研究
机译:研究氮化镓,氮化铝镓和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管中的电活性缺陷
机译:第一性原理晶格动力学获得的纤锌矿型氧化锌的导热系数–与氮化镓的比较研究
机译:沿不同晶体方向生长的氮化镓纳米线电子特性的第一性原理研究