机译:离子注入诱导的带隙工程对InAs / InP量子破折线的温度依赖性光致发光性质的影响
Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON), Faculte des Sciences, Avenue de l'environnement, 5019 Monastir, Tunisia;
Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON), Faculte des Sciences, Avenue de l'environnement, 5019 Monastir, Tunisia;
Laboratoire de Micro-Optoelectronique et Nanostructures (LMON), Faculte des Sciences, Avenue de l'environnement, 5019 Monastir, Tunisia;
Centre de Recherche en Nanofabrication et Nanocaracterisation (CRN2), Universite de Sherbrooke, (Quebec) J1K 2R1, Canada LTM-CNRS/CEA-Grenoble, 17, rue des martyrs, F-38054, Grenoble Cedex 9, France;
Centre de Recherche en Nanofabrication et Nanocaracterisation (CRN2), Universite de Sherbrooke, (Quebec) J1K 2R1, Canada;
Centre de Recherche en Nanofabrication et Nanocaracterisation (CRN2), Universite de Sherbrooke, (Quebec) J1K 2R1, Canada;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR CNRS 5270, Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, F-69134 Ecully, France;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR CNRS 5270, Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, F-69134 Ecully, France;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR CNRS 5270, Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, F-69134 Ecully, France;
机译:利用低能离子注入诱导的混合来调节InAs / InP量子棒的带隙
机译:低能量磷离子注入和随后退火对InAs / InP量子划线的温度依赖性光致发光特性
机译:InAs / InP量子点,虚线和有序阵列
机译:INP(001)上INAS量子线的偏振光致发光和温度依赖性光致发光研究
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:温度对在图案化GaAs上生长的单个InAs量子点的光致发光特性的影响
机译:Inas-Gaas和Inas-InGaas-Gaas量子点异质结构的温度依赖性调制反射率和光致发光