...
机译:中等能量和室温下稀土离子注入过程中GaN中损伤形成的机制
CIMAP, UMR 6252, CNRS ENSICAEN, CEA, UCBN, 6 Boulevard du Manlchal Juin,14050 CAEN, France;
CIMAP, UMR 6252, CNRS ENSICAEN, CEA, UCBN, 6 Boulevard du Manlchal Juin,14050 CAEN, France;
Instituto Tecnoldgico e Nuclear, EN 10, 2686-953 Savacem, Portugal;
机译:透射电子显微镜研究中程能量稀土离子注入在GaN中形成的结构损伤
机译:GaN中的稀土离子注入:损伤形成和恢复
机译:氮化物半导体中稀土离子注入过程中损伤形成的机理
机译:稀土地区中型能源范围植入下的GaN中损伤形成:综合TEM,XRD和RBS / C调查
机译:研究稀土元素对温度高达523K的镁合金的组织演变和变形行为的影响。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:AlN纳米帽在高温退火过程中用于保护稀土注入GaN的失效机理