机译:SiN接触蚀刻停止层和凹陷的SiGe源极和漏极在单轴应变晶体管中增加了应变
CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
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CEA INACIUJF-Grenoblel UMR-E, SP2M, LEMMA, Minatec Grenoble, 17 rue des Martyrs 38054, France;
机译:B掺杂Sige的选择性外延生长和Si的Hcl蚀刻以形成Sige:b凹陷的源极和漏极(pmos晶体管)
机译:SiGe合金与接触刻蚀停止层应力集成在一起的纳米级Si P型金属氧化物半导体场效应晶体管器件的应变工程
机译:SiGe源极和漏极的45 nm p型金属氧化物半导体场效应晶体管中SiGe的窄宽和长度依赖性以及黄道孤立应力引起的缺陷
机译:具有双嵌入式Si:C源/沥水和晶格 - 不匹配的SiGe应变 - 转移结构(STS)的紧张N-FET中的性能增强
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:通过SIN接触蚀刻静止层和凹陷的SiGE源和排水管在单轴紧张的晶体管中添加应变