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机译:离子注入和热退火硅晶片的多波长激发光子辐射测定
Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, P. 0. Box 350, Shuangliu, Chengdu, Sichuan 610209, China,Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China;
Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, P. 0. Box 350, Shuangliu, Chengdu, Sichuan 610209, China;
机译:离子注入和热退火硅片的频域和时域光载流子联合辐射表征
机译:时域和时域组合光载流子辐射特性表征退火温度对砷离子注入硅晶片的依赖性
机译:离子注入和退火硅晶片的增强型光子载波辐射信号分析
机译:单晶圆快速热退火中200 mm硅晶圆的退火后应力降低
机译:使用激光红外光热辐射法测量半导体硅晶片中的载流子密度波深度轮廓图。
机译:通过硅烷化合物改性和快速热退火处理化学镀镍磷膜在硅片上的附着力
机译:N +离子注入和快速热退火的Si(100)晶片的光学特性,通过光谱椭圆偏振法研究