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机译:纳米ln_(0.53)Ga_(0.47)As / ln_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中电子有效质量的能量依赖性和波函数限制的影响
Kyushu Institute of Technology, Fukuoka 820-8502, Japan;
机译:In_(0.53)Ga_(0.47)As / ln_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱中非抛物线性和波动函数大小的证据
机译:机械弯曲条件下塑料柔性基板上In_(0.53)Ga_(0.47)As / Ln_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管的电学特性
机译:In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As二维电子气和量子线的能量弛豫研究
机译:掺杂在基板/缓冲层界面在RashBA系数α中的in_(0.52)Al_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)中的效果,为非对称量子阱
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。