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机译:GaN / VO_2异质外延p-n结:带隙和少数载流子动力学
Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, Massachusetts 02138,USA;
Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, Massachusetts 02138,USA;
机译:GaN / VO2异质外延p-n结:带偏移和少数载流子动力学
机译:质子辐照对同质外延n-GaN中少数载流子扩散长度和缺陷引入的影响
机译:基于分析1-D少数载波扩散方程方法的[PM-147] -SI平面P-N结贝的表面钝化参数优化
机译:氮化物半导体可以提供直接过渡的宽带隙能量,从而使200至400nm的紫外(UV)发射能够。 GaN P-N结,IngaN-LED,GaN-MQW-LED,Algan-QW-LED和InalGaN LED被提出为UV发射器S.
机译:垂直GaN P-N二极管中的缺陷介导的载波传输机制
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:GaN / VO2异质外延p-n结:带偏移和少数 载波动力学
机译:用于测量p-N结太阳能电池中的少数载流子寿命和体扩散长度的方法和装置