机译:纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的准弹道传输建模
Department of Electronics and Applied Physics, Tokyo Institute of Technology, 4259, Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan,Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan;
Department of Electronics and Applied Physics, Tokyo Institute of Technology, 4259, Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan;
Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan;
Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan;
机译:纳米线场效应晶体管中的准弹道传输
机译:硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管的非准静态建模及其高达1 THz的模型验证
机译:InAs,InSb和GaSb N沟道纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管在弹道输运极限中的性能比较
机译:纳米线场效应晶体管中的准弹道传输
机译:弹道单层黑色磷金属氧化物半导体场效应晶体管的紧凑型造型
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:谷内声子声子散射对多栅极硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中量子输运的影响