机译:通过化学气相沉积技术在c平面p-GaN模板上生长的ZnO外延层中观察到的位错与可见光发射带之间的关系
Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India;
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机译:与原子层沉积生长的c面ZnO外延膜中的基础堆叠缺陷相关的光致发光
机译:通过化学气相沉积在LIGaO2基质上生长的M平面和C面ZnO外延膜的光电导性:对比研究
机译:薄雾化学气相沉积在C面蓝宝石衬底上使用薄AU层在雾化学气相沉积的激光作用
机译:通过金属化学气相沉积在外延横向过度生长模板上生长的GaN层中的深部中心
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:在化学气相沉积生长的单层MoS2中与真空水平有关的光致发光
机译:金属有机化学气相沉积法在氮化Si(111)衬底上生长的GaN外延层的应变分析
机译:有机金属化学气相沉积mg掺杂GaN外延层的磁共振研究2。杂志文章