机译:电子束光刻曝光电流水平对石墨烯场效应晶体管传输特性的影响
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:石墨烯态密度对石墨烯/ MoS_2 /金属垂直场效应晶体管传输特性的影响
机译:通过分析准能输运的子带势能分布和电流电压特性,研究纳米MOSFET实现的非门晶体管级电路的时序特性
机译:可变和恒定场中石墨烯纳米带隧穿晶体管的电流传输模型
机译:纳米图案化和杂交石墨烯场效应晶体管电荷输送研究
机译:像差校正电子束光刻对悬浮石墨烯器件电子传输的影响的原位研究
机译:石墨烯状态密度对运输的影响 石墨烯/ mos2 /金属垂直场效应晶体管的特性