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机译:Si(001)上Si_(1-x)Ge_x岛中缺陷的温度演化和原子有序化
ID01/ESRF, 6 rue Jules Horowitz, BP220, F-38043 Grenoble Cedex, France,Aix-Marseille University, IM2NP-CNRS, Faculte des Sciences de St Jerome, 13397 Marseille, France;
Departamento de Fisica, Universidade Federal de Minas Gerais, CEP 31270-901 Belo Horizonte, M.G., Brazil;
Institut Jean Lamour, UMR CNRS 7198, Universite de Lorraine, BP 70239, F-54506 Vandoeuvre-Les-Nancy, France;
Institut fuer Energie- und Klimaforschung (IEK-5), Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425 Juelich, Germany;
Institute for Integrative Nanosciences, IFW Dresden, Helmholtzstrasse 20, D-01069 Dresden, Germany;
CEA, INAC-SP2M, F-38000 Grenoble, France;
Max Planck Institute of Colloids and Interfaces, D-14424 Potsdam, Germany;
ID01/ESRF, 6 rue Jules Horowitz, BP220, F-38043 Grenoble Cedex, France;
机译:Si_(1-x)Ge_x上的Cu_3Ge和Cu_3(Si_(1-x)Ge_x)的室温氧化
机译:Si(001)上Si_(1-x)Ge_x岛中位错形核的临界形状和大小
机译:反应热化学气相沉积法在Si(001)晶片上低温外延生长高质量Si_(1-x)Ge_x(x≥0.99)薄膜
机译:在SI_(1-X)GE_X / IL接口处的电子缺陷带:接近压缩紧张SI_(1-x)GE_X PFET中的固有载波传输
机译:硅(001)和(111)上的原子平坦区域:通过蒸发或生长以及缺陷表征来制造。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:Si(001)上Si1-xGex岛中缺陷的温度演化和原子有序化
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型