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WANG Cheng; ZHANG HeMing; SONG JianJun; HU HuiYong;
Key;
Lab;
of;
Wide;
Band-Gap;
Semiconductor;
Materials;
and;
Devices,;
School;
Microelectronics,;
Xidian;
University,;
Xi'an;
710071,;
China;
散射机制; 应变硅; Si; 近似理论; 声学声子; 光学声子; 器件设计; PMOS;
机译:使用块状富Ge的Si_(1-x)Ge_x晶体和油浸拉曼光谱法测定富Ge的Si_(1-x)Ge_x中的声子形变势和应变位移系数
机译:取决于能隙差异的梯度带隙Si_(1-x)Ge_x(0.2≤x≤1),Si_(1-x)Ge_x(0.5≤x≤1)固溶体中的热电效应
机译:第一性原理在Si / Si_(1-x)Ge_x异质结构和Si_(1-x)Ge_x合金中电子相关的热电性质
机译:Ni(Si_(1-x)Ge_x)和Pt(Si_(1-x)Ge_x)接触电阻的Ni(Si_(1-x)Ge_x),用于FD-SOI PMOS金属源和排水管
机译:锗(111)相变上的铅和铜(111)磁性表面合金上的铁(x)/镍(1-x)的薄膜显微镜观察。
机译:从hole中挖出hole鱼:进行风险分析以指导魔鬼收获Hole鱼以进行圈养
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:23--111- 2--111- 2--1112- 2333-包含23-二氯-111-三氟丙烷2-氯-111-三氟戊烷2-氯-1112-四氟丙烷或2333-四氟戊烷的组合物
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