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机译:基于纳米线的(In,Ga)N / GaN发光二极管中反向泄漏电流的物理模型
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
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Department of Information Engineering, University of Padova, Via Gradenigo 6/B, 35131 Padova, Italy;
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Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany;
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机译:InGaN / GaN蓝色发光二极管中反向漏电流的隧穿跳跃传输模型
机译:基于寄生二极管模型的GaN基发光二极管漏电流分析
机译:InGaN / GaN多量子阱紫外/蓝/绿发光二极管的反向漏电流特性
机译:使用P型势垒控制层的反向泄漏电流低的GaN基多结二极管
机译:基于氮化镓的发光二极管的建模,以实现均匀的电流扩散。
机译:纳米线整体中单(InGa)N / GaN纳米线发光二极管的电致发光和电流电压测量
机译:基于纳米线的(In,Ga)N / GaN发光二极管中反向泄漏电流的物理模型