...
机译:位错和载流子浓度在限制等离子体辅助分子束外延生长的InN薄膜的电子迁移率中的作用
Chemistry and Physics of Materials Unit, International Centre for Materials Science, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur, Bangalore 560064, India;
Chemistry and Physics of Materials Unit, International Centre for Materials Science, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur, Bangalore 560064, India;
Chemistry and Physics of Materials Unit, International Centre for Materials Science, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur, Bangalore 560064, India;
机译:等离子体辅助分子束外延降低高T / N富集生长的InN薄膜中的穿线位错密度
机译:等离子体辅助分子束外延降低高T / N富集生长的InN薄膜中的穿线位错密度
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在缓冲层生长后生长过程中氮等离子体辐照对Si(1 1 1)上生长的六方InN薄膜特性的影响
机译:通过电子回旋谐振等离子体辅助分子束外延生长的衬底偏置电压的影响
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延生长氮化镓铟的生长优化和表征。
机译:分子束外延生长的InGaN / InN异质界面上的高迁移率二维电子气
机译:等离子辅助分子束外延在O形ZnO(0001)上生长的INN薄膜的结构特性