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机译:通过掠入射和掠射X射线荧光光谱表征硅中的超浅铝植入物
Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, Germany;
Department of Physics, University of Fribourg, Chemin du Musee 3, CH-1700 Fribourg, Switzerland;
Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, Germany;
Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, 10587 Berlin, Germany;
Department of Physics, University of Fribourg, Chemin du Musee 3, CH-1700 Fribourg, Switzerland;
Department of Physics, University of Fribourg, Chemin du Musee 3, CH-1700 Fribourg, Switzerland;
Department of Physics, University of Fribourg, Chemin du Musee 3, CH-1700 Fribourg, Switzerland;
机译:通过微聚焦掠射X射线荧光和掠入射X射线荧光对Si和Ge中低能离子注入的深度分布进行分析
机译:超低能硼注入剂通过非氧化二次离子质谱分析和软X射线掠入射X射线荧光技术表征硅
机译:Rutherford /弹性背散射和掠入射X射线荧光光谱法研究了深注入硅中的氩离子
机译:氧化入射X射线光电子谱表征氧氮化硅介电薄膜的特征
机译:用于半导体纳米术学和缺陷量化的胶带发射小角X射线散射(吉即)
机译:联合评估掠入射X射线荧光和X射线反射率数据以改善超浅深度分布的轮廓
机译:通过掠入射和掠射X射线荧光光谱表征硅中的超浅铝植入物