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机译:通过BA扩散过程的4H-Si-Face MOSFET的自由载体密度增强,无钝化
Univ Tsukuba 1-1-1 Tennodai Tsukuba Ibaraki 3058577 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol 16-1 Onogawa Tsukuba Ibaraki 3058569 Japan;
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Univ Tsukuba 1-1-1 Tennodai Tsukuba Ibaraki 3058577 Japan;
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SiC MOSFET; SiO2; Ba; NO; Hall effect measurement; Free carrier density;
机译:氮化硅的Si面4H-SiC MOSFET的反型层中的载流子传输特性
机译:利用沉积的SIN_X接口层改进了SI-FACE 4H-SIC MOSFET中的现场效果移动性
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:H / sub 2 / O扩散对多级互连处理增强的热载流子引起的MOSFET退化的表征
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:基于边缘增强扩散滤波和图像处理的害虫的监测群体密度