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机译:极值分布在介电故障和内存应用中的基本作用(最小值与最大值统计)
IBM Res Div Essex Jct VT 05452 USA;
IBM Res Div Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM Syst Grp Essex Jct VT 05452 USA;
IBM Res Div Albany NY 12203 USA;
IBM Res Div Yorktown Hts NY 10598 USA;
机译:内存应用中氧化物RRAM电导的最大极值分布模型
机译:一阶统计量的点和间隔估计,具有已知比例参数的极值分布的位置参数和具有已知形状参数的Weibull分布的比例参数
机译:基于两步概率图和多链路测试方案的场加速时变介电击穿寿命分布的统计评估方法
机译:在BEOL / MOL / FEOL应用中存在介电击穿的可变性的情况下,连续击穿的经过时间统计
机译:非晶质电介质中的充电和击穿:现象学建模方法和应用
机译:基于介质共振的光学元措施:从基本原理到应用
机译:真空断路器双断液真空断路器和介电击穿概率分布的介电击穿特性研究
机译:应用于Weibull和极值分布的统计估计和假设检验结果