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机译:GaN中的极性依赖性植入p型掺杂剂活化
US Naval Res Lab Washington DC 20375 USA;
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Univ Notre Dame Dept Phys Notre Dame IN 46556 USA;
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机译:取决于极性的GaN中注入的p型掺杂剂激活
机译:对称多周期快速热退火:增强GaN中注入掺杂剂的活化
机译:使用加压快速热退火技术对掺入Si离子的GaN进行掺杂剂激活和超低电阻欧姆接触
机译:从MRTA到SMRTA:激活GaN中注入的掺杂剂的改进
机译:外延氮化镓中的离子植入损伤,退火和掺杂剂活化
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征
机译:通过氮注入锰注入的p型GaN增强磁性能
机译:GaN中掺杂剂的植入激活和重新分布