用于GaN膜中掺杂剂物质的电活化的方法

摘要

本发明提供了一种用于GaN膜中掺杂剂物质的电活化的方法。该方法包括以下步骤：a)提供包括支撑衬底(2)和含有掺杂剂物质的GaN膜(3)的叠层，b)将厚度大于2微米的屏蔽层(6)直接粘结至所述GaN膜(3)的表面，从而形成活化结构(7)，和c)根据使得电活化至少一部分所述掺杂剂物质的条件，向所述活化结构(7)应用热预算。