机译:供体受体对通过具有强掺杂AL_XGA_(1-X)N的强电子 - 声子耦合的缺陷发射:Si层与Al含量x> 0.5
Russian Acad Sci Rzhanov Inst Semicond Phys Siberian Branch Novosibirsk 630090 Russia|Novosibirsk State Univ Novosibirsk 630090 Russia;
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Russian Acad Sci Voevodsky Inst Chem Kinet & Combust Siberian Branch Novosibirsk Russia|Novosibirsk State Univ Novosibirsk 630090 Russia;
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机译:Al含量x> 0.5的重掺杂Al_xGa_(1-x)N:Si层中具有强电子-声子耦合的缺陷的供体-受体对发射
机译:掺杂浓度不同的Al_xGa_(1-x)As梯度层的InGaP / Al_xGa_(1-x)As / GaAs异质结双极晶体管的综合研究
机译:掺杂拓扑晶体绝缘体中的电子 - 声子耦合和超导性(PB_(0.5)SN_(0.5))_(1-x)IN_XTE
机译:来自ER〜(3+)的强大蓝色排放掺杂在AL_XGA_(1-x)n
机译:th(0.5-x)铅(0.5-x)p(2 x))锶(2- y)钡(y)钙(2)铜(3)氧(z)高-温度超导体以确定最佳钡浓度,并研究and和铅位中掺杂euro的影响。
机译:电子-空穴对在空间分离的有机供体-受体层中的远距离耦合
机译:掺杂拓扑晶体绝缘体中的电子 - 声子耦合和超导性(PB0.5SN0.5)1-XINXTE
机译:减少重掺杂Gaas的向外扩散:通过伪形态(x)Ga(1-x)作为阻挡层成为层