机译:MOVPE生长的GaN层中的载流子补偿概述:面向垂直功率器件的应用
Toyota Cent Res & Dev Labs Inc Nagakute Aichi 4801192 Japan;
Aichi Inst Technol Toyota 4700392 Japan;
Nagoya Univ Chikusa Ku Nagoya Aichi 4648601 Japan;
Kyoto Univ Nishikyo Ku Kyoto 6158510 Japan;
Nagoya Univ Chikusa Ku Nagoya Aichi 4648601 Japan|Kyoto Univ Nishikyo Ku Kyoto 6158510 Japan;
机译:MOVPE生长的p型GaN层中与碳有关的载流子补偿的起源
机译:在独立式GaN衬底上生长的低自由载流子浓度n-GaN层的深层瞬态光谱法:取决于碳补偿率
机译:通过AP-MOVPE通过AP-MOVPE在(001)和(11N)GaAs基材上生长的GaN层性质的影响:对比研究
机译:Movpe GaN / Sapphire模板在垂直GaN电源装置中漂移层的Movpe GaN / Sapphire模板上的HVPE种植层的研究
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:MOVPE在晶圆级厚氮化硼层上的柔性金属-半导体-金属器件原型
机译:垂直GaN电力装置应用的GaN衬底评价