机译:在独立式GaN衬底上生长的低自由载流子浓度n-GaN层的深层瞬态光谱法:取决于碳补偿率
Univ Fukui, Grad Sch Elect & Elect Engn, Fukui 9108507, Japan|SCIOCS Ltd, Dept Engn, Hitachi, Ibaraki 3191418, Japan;
Univ Fukui, Grad Sch Elect & Elect Engn, Fukui 9108507, Japan;
Hosei Univ, Micronano Technol Res Ctr, Koganei, Tokyo 1840003, Japan;
Aichi Inst Technol, Dept Elect & Elect Engn, Toyota, Aichi 4700392, Japan;
机译:在独立式GaN上通过金属有机化学气相沉积法生长的n-GaN的深层缺陷
机译:使用透明导电聚合物肖特基接触的独立式n-GaN衬底中深层缺陷的光电容光谱研究
机译:轻掺杂碳在独立式GaN衬底上垂直n-GaN肖特基二极管结构的漂移层中的作用
机译:利用低频电容测量,深层瞬态光谱对N-GaN薄层电子阱的表征
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面