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机译:在独立式GaN衬底上具有光滑生长态的高纯度GaN层的氢化物气相外延生长
SCIOCS Co Ltd Hitachi Ibaraki 3191418 Japan;
机译:通过在具有良好表面的HVPE-GaN衬底上外延生长从Ga_2O蒸气生长的GaN层的生长速率急剧增加
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高度稳定且低态密度的Al_2O_3 / GaN界面
机译:在厚的独立式GaN衬底上生长的GaN外延层的微阴极发光和电性能
机译:射频器件应用SIC基体上的MOCVD生长和表征AlGaN / GaN外延层
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:使用在独立式GaN衬底上生长的外延n-GaN层实现高稳定性和低态密度Al2O3 / GaN界面
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管