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机译:未掺杂的微晶硅薄膜的光电和结构性质:甚高频等离子体增强化学气相沉积技术中衬底温度的依赖性
Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700032, India;
microcrystalline silicon; thin film; VHF-PECVD; raman spectra; AFM; FTIR; XRD;
机译:脉冲射频等离子体增强化学气相沉积法沉积硅锗合金薄膜的结构和光电性能
机译:在低基板温度下通过等离子体增强化学气相沉积和热线化学气相沉积沉积的薄膜的机械和压阻特性
机译:低频脉冲衬底偏置的电感耦合等离子体化学气相沉积法沉积微晶硅薄膜的增强形核
机译:沉积温度对等离子体增强化学气相沉积制备的微晶硅薄膜的影响
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:在低衬底温度下通过射频等离子体增强化学气相沉积法沉积的掺杂非晶硅和纳米晶硅的电子和结构性质