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机译:掺氮铝酸Ha(HfAlON)栅极电介质的膜组成对高温退火对结构转变和电性能的影响
Advanced LSI Technology Laboratory, Toshiba Corporation, 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, Japan;
high-k gate dielectrics; HfAlON; HfSiON; HfO_2; Al_2O_3; sputtering deposition; cubic-HfN; thermal stability; boron penetration;
机译:氮气中脉冲激光沉积制备HfO2薄膜栅介质的界面反应和电性能:快速热退火和栅电极的作用
机译:热退火对纳米MOS器件中含ha氧化物栅极电介质的金属氮化物栅电极电性能的影响
机译:退火温度对InGaZnO薄膜晶体管高κYbTi_xO_y栅极电介质结构和电性能的影响
机译:用于超薄介电膜的工程化钽铝酸铝和铪铝酸铝膜,具有改善的电气和热性能
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:氮中溅射TiO2 / ZrO2双层复合电介质的结构和电性能
机译:氮气退火效应对Ald-ZnO薄膜结构,光学和电性能的比较