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机译:铟冲洗法MBE生长的InAs / GaAs双量子点的光学特性
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
double quantum dots; MBE; InAs; Indium-Flush; photoluminescence; tunneling time; electron phonon interaction; photoluminescence excitation;
机译:铟冲洗法生长的InAs / GaAs双量子点中GaAs间隔层厚度的微观结构和光学特性的相关性
机译:InAlGaAs和GaAs组合势垒厚度对MBE生长的InAs / GaAs量子点异质结构堆叠层中点形成持续时间的影响
机译:MBE种植的氮化INAS / GaAs量子点的光学表征
机译:MBE生长的Sb引入的Ga(In)As的拓扑特征覆盖GaAs上的InAs量子点
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:InGaAs交叉影线图案上生长和退火的InAs量子点的光学性质
机译:双帽工艺对金属有机化学气相沉积生长InAs_InGaAsP_InP量子点特性的影响