机译:纳米级应变Si / SiGe异质结三栅场效应晶体管
Center for Nanotechnology and Department of Electronic Engineering, Chung Yuan Christian University, Chung-Li, Taiwan, R.O.C.;
SiGe; trigate; strain; SOI; mobility;
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
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机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:具有在SOI衬底上制造的具有薄Si3N4膜的紧张Si / SiGe异质结双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
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机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用