机译:互补金属氧化物半导体后处理工艺制造带微电感和微可调电容器的集成芯片
Department of Mechanical Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan, R.O.C.;
microinductors; micro-tunable capacitors; postprocess; CMOS; MEMS;
机译:具有片上集成天线的3.5-4.5 GHz互补金属氧化物半导体超宽带接收机前端低噪声放大器,用于芯片间通信
机译:使用蚀刻金属层的互补金属氧化物半导体后处理工艺制造微机械可调电容器
机译:电化学测量用互补型金属氧化物半导体传感器芯片的设计与制作
机译:用于芯片上电源的半导体基板上的集成微电感器
机译:在带有有源器件的单片芯片上制造阳极氧化钽集成电容器。
机译:垂直集成的三维纳米线互补金属氧化物半导体电路
机译:使用非晶态TaSiN作为氧扩散阻挡层将钙钛矿氧化物电介质集成到互补的金属氧化物半导体电容器结构中