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机译:应变硅和应变硅锗的拉曼声子应变位移系数的确定
School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Nanyang Avenue Singapore 639798;
strained Si; strained SiGe; raman; phonon strain shift coefficient; strain; measurement;
机译:绝缘体上超薄应变硅的拉曼光谱:应变,弹性和声子性质的尺寸效应
机译:使用块状富Ge的Si_(1-x)Ge_x晶体和油浸拉曼光谱法测定富Ge的Si_(1-x)Ge_x中的声子形变势和应变位移系数
机译:Si / SiGe异质结构中的应变拉曼研究:精确确定Si带的应变位移系数
机译:应变Si / SiGe纳米结构中的弹道声子传输及其在应变硅晶体管中的应用
机译:应变对硅价带的影响:p型硅的压阻和应变硅pMOSFET的迁移率提高。
机译:拉曼光谱研究应变石墨烯的声子软化和晶体学取向
机译:通过应变转移在SiGe上产生高应变硅