机译:利用激光热工艺实现低结漏电流和结电容的低CoSi_2 / p〜+-硅接触电阻
Fujitsu Ltd., 50 Fuchigami, Akiruno, Tokyo 197-0833, Japan;
laser thermal process; contact resistance; preamorphization; deep source-drain; silicide; junction leakage; junction capacitance;
机译:超浅结的非接触薄层电阻和泄漏电流映射
机译:低复杂度全熔体激光退火工艺制造低泄漏注入的超浅结
机译:低复杂度全熔体激光退火工艺制造低泄漏注入的超浅结
机译:超浅(和其他)结的薄层电阻和泄漏电流密度的非接触式电气测量
机译:低电阻触点与用于纳米级MOS器件的激光退火结。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:非破坏性,超低电阻,热稳定触点,用于浅结InP太阳能电池