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机译:N_2O氧化隧道氧化物可提高氧化硅-氮化物-氧化硅-硅非易失性存储器的保留可靠性
School of Defense Science, Chung-Cheng Institute of Technology, National Defense University, Tahsi, Taoyuun 335, Taiwan, R.O.C.;
SONOS; oxynitride; two-bit operation; atomic force microscopy (AFM); charge pumping;
机译:具有部分底部-富含硅的氮化物结构的氧化硅-氮化物-氧化物-硅-非易失性半导体存储器件的耐久性和数据保留性能的提高
机译:具有分离的包含不同隧穿氧化物厚度的双栅鳍式场效应晶体管结构的纳米级两比特非常规型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅非易失性存储器件的仿真
机译:高压氘退火以改善氧化硅-氮化物-氧化物-硅非易失性存储器件的可靠性
机译:N2O氧化隧道氧化物可改善SONOS非易失性存储器的保留可靠性
机译:通过VLSI CMOS和非易失性存储器件中的氮化技术提高了氧化物的可靠性。
机译:具有HfO2 / Al2O3纳米结构隧穿层的氧化Ga纳米晶体非易失性存储器
机译:硅上生长的用于闪存应用的“湿$ N_2O $”隧道氧化物的电学和可靠性研究