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机译:Cd_xZn_(1-x)Se / ZnS_ySe_(1-y)单量子阱中电导和价带偏移的变化对激子结合能的影响
Electronic Engineering Course, Aomori Prefectural Hachinohe Technical Senior High School, 1-2-27 Koyo, Hachinohe, Aomori 031-0801, Japan;
Cd_xZn_(1-x)Se/ZnS_ySe_(1-y); single quantum well; band offset; exciton binding energy;
机译:Mg_yZn_(1-y)S熔覆层与Cd_xZn_(1-x)S / ZnS量子阱之间的晶格失配引起的应变对Cd_xZn_(1-x)S / ZnS / ZnS / Mg_yZn_(1-的有效带隙能的影响y)S分离约束异质结构
机译:GaAs_(1-x)N_x / GaAs_(1-y)N_y异质界面的导带和价带偏移的理论研究
机译:CdTe / Hg_(1-x)Cd_xTe / CdTe量子阱的弛豫时间和能谱的仿真,其价带偏移,阱宽度和组成x均可变
机译:静压压力对湿钛酸盐杂质状态结合能的影响(1-y)n / Al_xga_(1-x)n抛物线量阱
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
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机译:带应变和介电限制对应变的Zn1-xinMgxinSe / Zn1-xoutMgxoutSe量子点中激子结合能的影响
机译:体Inas(1-x)sb(x)和II型Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格中的导带和价带能量。