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机译:连续波激光横向结晶制造的多晶硅薄膜晶体管中应变诱导的后沟道电子迁移率的提高
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Solution Research Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan,Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, Higashihiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan;
机译:通过改进电子传输性能的连续波激光横向结晶制造的三栅极多晶硅薄膜晶体管
机译:低垂直场热载流子下不同激光退火功率下连续波绿色激光晶体化多晶硅n沟道薄膜晶体管的衰减机理
机译:覆盖氧化物层对连续波激光结晶制造的多晶硅薄膜晶体管的影响
机译:锗组成对玻璃基板上连续波激光横向结晶N沟道多晶硅锗薄膜晶体管的影响
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:准分子激光晶体化的Si1-xGex薄膜晶体管的电学和结构特性
机译:高性能N沟道多晶锗薄膜晶体管通过连续波激光结晶和绿色纳秒激光退火源和排水掺杂剂活化