机译:点大小和点位置变化对量子点非易失性存储单元的电容电压特性和平带电压漂移的影响
ORDIST and Graduate School of Engineering Science, Kansai University, Suita, Osaka 564-8680, Japan;
ORDIST and Graduate School of Engineering Science, Kansai University, Suita, Osaka 564-8680, Japan;
机译:富勒烯浓度对含有富勒烯的混合聚(4-乙烯基苯酚)有源层制造的有机存储器件中电容电压曲线的平带电压位移的影响
机译:起始测量电压相对于平带电压位置的变化对电容电压滞后以及InGaAs /高k金属氧化物半导体叠层的缺陷表征的影响
机译:金属氧化物半导体结构的电容电压C(V_G),特性和平带电压的拐点
机译:用于非易失性存储器应用的金属铁电 - IESULIT-硅结构的电容 - 电压特性
机译:在存在栅极隧道效应的情况下,硅MOSFET的电容电压特性。
机译:a-IGZO / TiO2存储器的丝状电阻切换和电容电压特性
机译:A-IGZO / TiO2内存的丝状电阻切换和电容 - 电压特性
机译:p + -Inp / n-Inp / n-InGaasp光电二极管的电容 - 电压特性计算